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会员年限:5年
型号/规格:PMEG3020EJ,115 品牌/商标:NXP(恩智浦) 封装形式:SOD-323F 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特性:大功率 频率特性: 整流电流:1A 反向电压:30V 温度:- 65 C~ 150 C If - 正向电流:2 A Vrrm - 重复反向电压:30 V Vf - 正向电压:510 mV Ifsm - 正向浪涌电流:9 A
发布询价型号/规格:SI4435FDY-T1-GE3 品牌/商标:Vishay/威世 封装形式:SOIC-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特征:大功率 温度:- 55 C~150 C Pd-功率耗散:4.8 W Qg-栅极电荷:13.5 nC Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms Id-连续漏极电流:12.6 A Vds-漏源极击穿电压:30 V
发布询价型号/规格:SM4007PL-TP 品牌/商标:MCC(美微科) 封装形式:SOD-123F 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特性:大功率 频率特性:高频 整流电流:1A 反向击穿电流:5uA@1kV 产品种类:整流器 温度:- 55 C~150 C Vr - 反向电压:1 kV If - 正向电流:1 A 恢复时间:3 us
发布询价型号/规格:SN74LVC4245ADWR 品牌/商标:TI(德州仪器) 封装:SOP24 批号:23+ 产品种类:总线收发器 传播延迟时间:6.7 ns 电路数量:8 低电平输出电流:24 mA 电源电压-最小:2.7 V, 4.5 V 电源电压-最大:3.6 V, 5.5 V 温度:- 40 C~85 C
发布询价型号/规格:SN75176BDR 品牌/商标:TI/德州仪器 封装:SOIC-8 批号:23+ 产品种类:RS-422/RS-485 接口 IC 数据速率:10 Mb/s 电源电压-最大:5.25 V 电源电压-最小:4.75 V 温度:0 C~70 C 工作电源电流:70 mA
发布询价型号/规格:SN74LVC4245APWR 品牌/商标:TI/德州仪器 封装:TSSOP-24 批号:23+ 产品种类:总线收发器 输出类型:3-State 电路数量:8 低电平输出电流:24 mA 电源电压-最小:2.7 V, 4.5 V 电源电压-最大:3.6 V, 5.5 V 温度:- 40 C~85 C
发布询价型号/规格:FM25L16B-G 品牌/商标:Infineon(英飞凌) 封装:SOIC-8 批号:23+ 产品种类:F-RAM 存储容量:16 kbit 接口类型:SPI 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V 温度:- 40 C~85 C
发布询价型号/规格:ESP32-PICO-V3-02 品牌/商标:ESPRESSIF/乐鑫 封装:QFN-48-EP 批号:23+ 产品种类:RF片上系统 - SoC 工作频率:2.4 GHz 最大数据速率:150 Mbps 输出功率:19.5 dBm 灵敏度:- 75 dBm 温度:- 40 C~85 C 程序存储器大小:4 MB
发布询价产品种类:晶体管输出光电耦合器 通道数量:1 Channel 绝缘电压:3750 Vrms 输出类型:NPN Phototransistor 工厂包装数量:3000
发布询价产品种类:共模扼流圈/滤波器 阻抗:130 Ohms 最大直流电流:10 A 最大直流电阻:10 mOhms 温度:- 40 C~125 C 长度:11.38 mm
发布询价型号/规格:EPM1270T144C5N 品牌/商标:Intel 封装:TQFP-144 批号:23+ 产品种类:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 工作电源电压:2.5 V, 3.3 V 大电池数量:980 Macrocell 输入/输出端数量:116 I/O 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.375 V 温度:0 C~70 C 最大工作频率:304 MHz
发布询价型号/规格:EPM7064SLC44-10N 品牌/商标:Intel 封装:PLCC-44 批号:23+ 产品种类:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 工作电源电压:5 V 大电池数量:64 Macrocell 输入/输出端数量:36 I/O 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 温度:0 C~70 C 最大工作频率:175.4 MHz
发布询价型号/规格:BSC084P03NS3 G 品牌/商标:Infineon(英飞凌) 封装形式:TDSON-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特征:中功率 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:78.6 A Rds On-漏源导通电阻:6.1 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V 温度:- 55 C~150 C
发布询价型号/规格:BAT54S,215 品牌/商标:NXP(恩智浦) 封装形式:SOT-23-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特性:中功率 频率特性:中频 整流电流:200A 反向电压:30 VV 温度:- 65 C~ 125 C Vrrm - 重复反向电压:30 V Vf - 正向电压:800 mV Ifsm - 正向浪涌电流:600 mA
发布询价型号/规格:B360AE-13 品牌/商标:Diodes 封装形式:SMA (DO-214AC) 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特性: 频率特性: 整流电流:A 反向电压:60V If - 正向电流:3 A Vrrm - 重复反向电压:60 V Vf - 正向电压:550 mV Ifsm - 正向浪涌电流:80 A Ir - 反向电流:200 uA
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