相关证件: 
会员类型:
会员年限:4年
单位重量: 1.800 g
产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 200 V
集电极—基极电压 VCBO: 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 1 V
大直流电集电极电流: 7 A
Pd-功率耗散: 60 W
增益带宽产品fT: 10 MHz
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
系列: BU406
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流: 7 A
高度: 9.4 mm
长度: 10.1 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
1000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 4.7 mm
零件号别名: BU406TU_NL
单位重量: 1.800 g
产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 200 V
集电极—基极电压 VCBO: 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 1 V
大直流电集电极电流: 7 A
Pd-功率耗散: 60 W
增益带宽产品fT: 10 MHz
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
系列: BU406
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流: 7 A
高度: 9.4 mm
长度: 10.1 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
1000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 4.7 mm
零件号别名: BU406TU_NL
单位重量: 1.800 g