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4年
企业信息

深圳市华芯源电子有限公司

卖家积分:5001分-6000分

营业执照:已审核

经营模式:生产制造商

所在地区:广东 深圳

人气:107015
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相关证件:营业执照已审核 

会员类型:

会员年限:4年

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BU406 TO-220双极结型晶体管BJT

型号/规格:

BU406

品牌/商标:

ON(安森美)

封装形式:

TO-220

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

直插式

包装方式:

管装

极性:

NPN型

产品种类:

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

晶体管极性:

NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:

200 V

集电极—基极电压 VCBO:

400 V

PDF资料:

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产品信息

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 200 V
集电极—基极电压 VCBO: 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 1 V
大直流电集电极电流: 7 A
Pd-功率耗散: 60 W
增益带宽产品fT: 10 MHz
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
系列: BU406
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流: 7 A
高度: 9.4 mm
长度: 10.1 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
1000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 4.7 mm
零件号别名: BU406TU_NL

单位重量: 1.800 g





产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 200 V
集电极—基极电压 VCBO: 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 1 V
大直流电集电极电流: 7 A
Pd-功率耗散: 60 W
增益带宽产品fT: 10 MHz
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
系列: BU406
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流: 7 A
高度: 9.4 mm
长度: 10.1 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
1000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 4.7 mm
零件号别名: BU406TU_NL
单位重量: 1.800 g




产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 200 V
集电极—基极电压 VCBO: 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 1 V
大直流电集电极电流: 7 A
Pd-功率耗散: 60 W
增益带宽产品fT: 10 MHz
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
系列: BU406
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流: 7 A
高度: 9.4 mm
长度: 10.1 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
1000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 4.7 mm
零件号别名: BU406TU_NL
单位重量: 1.800 g