相关证件：
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张小姐 
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彭先生
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苏小姐
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型号/规格:MAX6675ISA+T 品牌/商标:ADI(亚德诺) 封装:SOIC-8 批号:23+ 产品种类:传感器接口 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 温度:- 20 C~ 85 C 工作电源电压:3 V to 5.5 V 接口类型:SPI 供电电压:3V~5.5V 分辨率(位):12
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型号/规格:MAX3232CSE 品牌/商标:MAXIM/美信 封装:SOIC-16 批号:23+ 产品种类:RS-232接口集成电路 数据速率:235 kb/s 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 工作电源电流:1 mA 温度:0 C~70 C 工作电源电压:3.3 V, 5 V
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型号/规格:MAX3222EETP 品牌/商标:ADI(亚德诺)/MAXIM美信 封装:TQFN-20(5x5) 批号:23+ 产品种类:RS-232接口集成电路 数据速率:250 kb/s 激励器数量:2 Driver 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 工作电源电流:1 mA 温度:- 40 C~85 C 工作电源电压:3 V to 5.5 V
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型号/规格:PGA-1021+ 品牌/商标:Mini-Circuits 封装:SOT-89-4 批号:23+ 产品种类:射频放大器 工作频率:50 MHz to 6 GHz 工作电源电压:3.3 V 工作电源电流:57 mA 增益:9.8 dB NF—噪声系数:3.8 dB P1dB - 压缩点:15.9 dBm OIP3 - 三阶截点:27.3 dBm 温度:- 40 C~85 C
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产品种类:射频电感器（SMD型） 电感:1 uH 容差:20 % 最大直流电流:4.7 A 最大直流电阻:13 mOhms 温度:- 40 C~ 85 C 测试频率:1 MHz
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型号/规格:LM1085IS-5.0 品牌/商标:TI（德州仪器） 封装:TO-263 批号:23+ 产品种类:低压差稳压器 输出电压:5 V 输出电流:3 A 输出端数量:1 Output 静态电流:10 mA 输入电压（最小值）:2.6 V 输入电压（最大值）:25 V 温度:- 40 C~ 125 C
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型号/规格:LMX2572RHAR 品牌/商标:TI/德州仪器 封装:VQFN40 批号:23+ 产品种类:时钟发生器/频率合成器/PLL 温度:- 40 C~ 85 C 最大输出频率::6.4GHz 供电电压:3V~3.5V 备注:低功耗宽带射频合成器
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产品种类:信号调节 产品:Low Pass Filters - LPF 频率:DC to 80 MHz 阻抗:50 Ohms 温度:- 55 C~100 C
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型号/规格:IRF7331TRPBF 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:SOIC-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特征: 晶体管极性:N-Channel 通道数量:2 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:7 A Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms Qg-栅极电荷:13 nC Pd-功率耗散:2 W
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型号/规格:ISMB5915BT3G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SMB-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特性: 频率特性: 反向电压: 反向击穿电流: Vz - 齐纳电压:3.9 V 电压容差:5 % Pd-功率耗散:3 W 齐纳电流:384 mA Zz - 齐纳阻抗:7.5 Ohms
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型号/规格:IRF9540SPBF 品牌/商标:VISHAY(威世) 封装形式:D2PAK 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:管装 功率特征: 产品种类:MOSFET 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:100 V Id-连续漏极电流:19 A Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V 温度:- 55 C~175 C
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型号/规格:IRF7301TRPBF 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 封装形式:SOIC-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特征: 产品种类:MOSFET 晶体管极性:N-Channel 通道数量:2 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:5.2 A Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 V Vgs th-栅源极阈值电压:700 mV
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型号/规格:HMC194AMS8ETR 品牌/商标:ADI/亚德诺 封装:MSOP8 批号:23+ 产品种类:RF 开关 IC 开关配置:SPDT 最小频率:0 Hz 最大频率:3 GHz 介入损耗:0.5 dB 关闭隔离—典型值:55 dB 温度:- 40 C~ 85 C Pd-功率耗散:300 mW
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型号/规格:H1102NLT 品牌/商标:PULSE(普思)(中英文) 包装方式:多件包装 主要用途: 适用电源类别: 铁芯类型: 频率特征: 导线类型: 安全认证类型: 产品种类:音频变压器/信号变压器 频率范围:100 kHz to 100 MHz 电感:350 uH 绝缘电压:1.5 kV 温度:0~70C
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型号/规格:FDV303N 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOT23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特征: 产品种类:MOSFET 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:25 V Id-连续漏极电流:680 mA Rds On-漏源导通电阻:450 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压:650 mV
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