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彭先生
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张小姐
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型号/规格:SMBJ20A/TR13 品牌/商标:Brightking(君耀电子) 封装形式:SMB(DO-214AA) 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特性: 频率特性: 整流电流: 反向击穿电流:A 产品种类:静电和浪涌保护(TVS/ESD） 温度:- 55 C~150 C 通道数量:1 Channel 工作电压:20 V 钳位电压:32.4 V
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型号/规格:SM712.TCT 品牌/商标:SEMTECH/升特 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流:A 反向电压:V 产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管 温度:- 55 C~ 125 C Ipp - 峰值脉冲电流:17 A 峰值脉冲功耗 (Pppm):400 W Cd - 二极管电容:75 pF
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型号/规格:SCS205KGC 品牌/商标:ROHM（罗姆） 封装形式:TO-220AC-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特性: 频率特性: 整流电流:A 反向电压:1.2 kVV If - 正向电流:5 A Vrrm - 重复反向电压:1.2 kV Vf - 正向电压:1.4 V Ifsm - 正向浪涌电流:23 A Ir - 反向电流:5 uA
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型号/规格:S25FL128SAGMFIR01 品牌/商标:INFINEON/英飞凌/CYPRESS/赛普拉斯 封装:SOIC-16 批号:23+ 产品种类:NOR闪存 存储容量:128 Mbit 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V 有源读取电流（最大值）:100 mA 接口类型:SPI 最大时钟频率:133 MHz 数据总线宽度:8 bit 定时类型:Synchronous 温度:- 40 C~85 C
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型号/规格:MC33364DR2G 品牌/商标:ON(安森美) 封装:SOP14 批号:23+ 产品种类:AC-DC控制器和稳压器IC 输出电压:4.9 V to 5.2 V 输入/电源电压—最小值:10 V 输入/电源电压—最大值:20 V 开关频率:126 kHz 工作电源电流:2.75 mA 温度:- 25 C~125 C 输出电流:600 mA 单位重量:666 mg
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型号/规格:MAX3490EESA 品牌/商标:ADI(亚德诺)/MAXIM(美信) 封装:SOIC-8 批号:23+ 产品种类:RS-422/RS-485 接口 IC 数据速率:12 Mb/s 电源电压-最大:3.3 V 电源电压-最小:3.3 V 温度:- 40 C~85 C ESD 保护:15 kV 高度:1.5 mm (Max) 输入电压:7 V to 12 V 工作电源电流:1.1 mA 工作电源电压:3.3 V 输出电流:20 uA
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型号/规格:MAX235EPG 品牌/商标:ADI(亚德诺) 封装:PDIP-24 批号:23+ 产品种类:RS-232接口集成电路 数据速率:120 kb/s 激励器数量:5 Driver 接收机数量:5 Receiver 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V:4.5 V 工作电源电流:15 mA 温度:- 40 C~85 C 传播延迟时间:10 us 单位重量:3.740 g
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型号/规格:LM2594MX-5.0 品牌/商标:TI（德州仪器） 封装:SOP8 批号:23+ 产品种类:开关稳压器 输出电压:5 V 输出电流:500 mA 输出端数量:1 Output 拓扑结构:Buck, Inverting 开关频率:150 kHz 温度:- 40 C~ 125 C 单位重量::187 mg
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型号/规格:LM393P 品牌/商标:TI/德州仪器 封装:PDIP-8 批号:23+ 产品种类:模拟比较器 输出类型:CMOS, TTL 响应时间:1.3 us 比较器类型:Differential 电源电压-最小:2 V 电源电压-最大:30 V 工作电源电流:2.5 mA Vos - 输入偏置电压:5 mV Ib - 输入偏流:50 nA 温度:0 C~70 C Ios - 输入偏置电流:50 nA
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型号/规格:L6599DTR 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装:SOIC-16 批号:23+ 产品种类:开关控制器 拓扑结构:Half Bridge 输出端数量:1 Output 开关频率:500 kHz 占空比 - 最大:52 % 输入电压:8.85 V to 16 V 输出电压:13.3 V 输出电流:800 mA 温度:- 40 C~ 150 C 工作电源电压:8.85 V to 16 V 单位重量:200.700 mg
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型号/规格:IXTH30N60L2 品牌/商标:IXYS/艾赛斯 封装形式:TO-247-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征: 产品种类:场效应管(MOSFET) 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:600 V Id-连续漏极电流:30 A Rds On-漏源导通电阻:240 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V
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型号/规格:IRFP260N 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-247-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特征: 产品种类:场效应管(MOSFET) 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:200 V Id-连续漏极电流:50 A Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V 温度:- 55 C~ 175 C
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型号/规格:IPI65R380C6 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-262-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征: 产品种类:MOSFET 场效应管 N沟道 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:700 V Id-连续漏极电流:10.6 A Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V 温度:- 55 C~150 C
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型号/规格:IRF9540S 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:TO-263-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: 产品种类:MOSFET 单位重量:4 g 宽度:9.65 mm 长度:10.67 mm 高度:4.83 mm 封装 / 箱体:D2PAK-3 (TO-263-3)
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产品种类:高速光耦合器 封装:PDIP-8 数据速率:1 Mb/s 通道数量:2 Channel 绝缘电压:2500 Vrms Vf - 正向电压:1.45 V If - 正向电流:16 mA Vr - 反向电压:5 V Pd-功率耗散:100 mW 电流传递比:27 % 温度:- 55 C~100 C 下降时间:800 ns 输出电流:8 mA 上升时间:800 ns 最大集电极电流:8 mA
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