IXTH30N60L2 TO-247-3 mos管N沟道_深圳市华芯源电子有限公司

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深圳市华芯源电子有限公司

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营业执照：已审核

经营模式：生产制造商

所在地区：广东深圳

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IXTH30N60L2 TO-247-3 mos管N沟道

型号/规格：

IXTH30N60L2

品牌/商标：

IXYS/艾赛斯

封装形式：

TO-247-3

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

直插式

包装方式：

管装

产品种类：

场效应管(MOSFET)

晶体管极性：

N-Channel

通道数量：

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：

600 V

Id-连续漏极电流：

30 A

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询价

产品信息

型号：IXTH30N60L2

产品属性属性值选择属性

制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 240 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 335 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 540 W
通道模式: Enhancement
商标名: Linear L2
系列: IXTH30N60
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 43 ns
正向跨导 - 小值: 10 S
高度: 21.46 mm
长度: 16.26 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 65 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Linear L2 Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 123 ns
典型接通延迟时间: 43 ns
宽度: 5.3 mm

单位重量: 6 g

型号：IXTH30N60L2

产品属性属性值选择属性
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 240 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 335 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 540 W
通道模式: Enhancement
商标名: Linear L2
系列: IXTH30N60
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 43 ns
正向跨导 - 小值: 10 S
高度: 21.46 mm
长度: 16.26 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 65 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Linear L2 Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 123 ns
典型接通延迟时间: 43 ns
宽度: 5.3 mm
单位重量: 6 g

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普通库存(80000)

集成电路(IC)(176)

电源IC(30)

二极管(22)

三极管(6)

场效应管MOSFET(22)

单片机(10)

电阻器(1)

变压器(1)

继电器(2)

放大器(1)

光电子/光纤/激光(2)

其他未分类(7)

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