IRFP260N TO-247-3 mos管N沟道华芯源_深圳市华芯源电子有限公司

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深圳市华芯源电子有限公司

卖家积分： 5001分-6000分

营业执照：已审核

经营模式：生产制造商

所在地区：广东深圳

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IRFP260N TO-247-3 mos管N沟道华芯源

型号/规格：

IRFP260N

品牌/商标：

INFINEON（英飞凌）

封装形式：

TO-247-3

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

圆盘

产品种类：

场效应管(MOSFET)

晶体管极性：

N-Channel

通道数量：

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：

200 V

Id-连续漏极电流：

50 A

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询价

产品信息

型号：IRFP260N

产品属性属性值选择属性

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 48 ns
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 60 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
宽度: 5.31 mm

单位重量: 6 g

型号：IRFP260N

产品属性属性值选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 48 ns
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 60 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
宽度: 5.31 mm
单位重量: 6 g

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场效应管MOSFET(22)

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电阻器(1)

变压器(1)

继电器(2)

放大器(1)

光电子/光纤/激光(2)

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