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张小姐 
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彭先生
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苏小姐
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型号/规格:IRF9540SPBF 品牌/商标:VISHAY(威世) 封装形式:D2PAK 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:管装 功率特征: 产品种类:MOSFET 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:100 V Id-连续漏极电流:19 A Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V 温度:- 55 C~175 C
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型号/规格:IRF7301TRPBF 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 封装形式:SOIC-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特征: 产品种类:MOSFET 晶体管极性:N-Channel 通道数量:2 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:5.2 A Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 V Vgs th-栅源极阈值电压:700 mV
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型号/规格:FDV303N 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOT23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特征: 产品种类:MOSFET 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:25 V Id-连续漏极电流:680 mA Rds On-漏源导通电阻:450 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压:650 mV
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型号/规格:SI4435FDY-T1-GE3 品牌/商标:Vishay/威世 封装形式:SOIC-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特征:大功率 温度:- 55 C~150 C Pd-功率耗散:4.8 W Qg-栅极电荷:13.5 nC Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms Id-连续漏极电流:12.6 A Vds-漏源极击穿电压:30 V
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型号/规格:BSC084P03NS3 G 品牌/商标:Infineon(英飞凌) 封装形式:TDSON-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特征:中功率 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:78.6 A Rds On-漏源导通电阻:6.1 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V 温度:- 55 C~150 C
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型号/规格:IPP320N20N3G 品牌/商标:Infineon/英飞凌 封装形式:TO-220-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征:中功率 产品种类:MOSFET 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:200 V Id-连续漏极电流:34 A Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
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型号/规格:NCV8406ADTRKG 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:DPAK-3 (TO-252-3) 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:圆盘 功率特征: 产品种类:MOSFET 封装 / 箱体:DPAK-3 (TO-252-3) 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:65 V Id-连续漏极电流:7 A Rds On-漏源导通电阻:210 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 14 V, + 14 V
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