相关证件: 
会员类型:
会员年限:4年
型号:NCV8406ADTRKG
型号:NCV8406ADTRKG
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产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi单位重量: 351 mg
型号:NCV8406ADTRKG 型号:NCV8406ADTRKG 型号:NCV8406ADTRKG
产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 210 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 14 V, + 14 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: -
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.31 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: NCV8406A
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 692 ns
产品: Driver ICs - Various
产品类型: MOSFET
上升时间: 486 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Low Side
典型关闭延迟时间: 1600 ns
典型接通延迟时间: 127 ns
单位重量: 351 mg
产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 210 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 14 V, + 14 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: -
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.31 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: NCV8406A
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 692 ns
产品: Driver ICs - Various
产品类型: MOSFET
上升时间: 486 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Low Side
典型关闭延迟时间: 1600 ns
典型接通延迟时间: 127 ns
单位重量: 351 mg