IPP320N20N3G TO-220-3场效应管_深圳市华芯源电子有限公司

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深圳市华芯源电子有限公司

卖家积分： 5001分-6000分

营业执照：已审核

经营模式：生产制造商

所在地区：广东深圳

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IPP320N20N3G TO-220-3场效应管

型号/规格：

IPP320N20N3G

品牌/商标：

Infineon/英飞凌

封装形式：

TO-220-3

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

直插式

包装方式：

管装

功率特征：

中功率

产品种类：

MOSFET

晶体管极性：

N-Channel

通道数量：

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：

200 V

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询价

产品信息

型号：IPP320N20N3G

产品属性属性值选择属性

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 34 A
Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 136 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS 3
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 小值: 27 S
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: OptiMOS 3 Power-Transistor
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
宽度: 4.4 mm
零件号别名: SP000677842 IPP32N2N3GXK IPP320N20N3GXKSA1

单位重量: 2 g

产品属性属性值选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 34 A
Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 136 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS 3
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 小值: 27 S
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: OptiMOS 3 Power-Transistor
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
宽度: 4.4 mm
零件号别名: SP000677842 IPP32N2N3GXK IPP320N20N3GXKSA1
单位重量: 2 g

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优势库存(1000)

普通库存(80000)

集成电路(IC)(176)

电源IC(30)

二极管(22)

三极管(6)

场效应管MOSFET(22)

单片机(10)

电阻器(1)

变压器(1)

继电器(2)

放大器(1)

光电子/光纤/激光(2)

其他未分类(7)

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