SI4435FDY-T1-GE3 SOIC-8 MOS管P沟道_深圳市华芯源电子有限公司

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深圳市华芯源电子有限公司

卖家积分： 5001分-6000分

营业执照：已审核

经营模式：生产制造商

所在地区：广东深圳

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SI4435FDY-T1-GE3 SOIC-8 MOS管P沟道

型号/规格：

SI4435FDY-T1-GE3

品牌/商标：

Vishay/威世

封装形式：

SOIC-8

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

圆盘

功率特征：

大功率

温度：

- 55 C~150 C

Pd-功率耗散：

4.8 W

Qg-栅极电荷：

13.5 nC

Vgs - 栅极-源极电压：

- 20 V, + 20 V

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产品信息

型号：SI4435FDY-T1-GE3

产品属性属性值选择属性

制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 12.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 13.5 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 4.8 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 16 ns
正向跨导 - 小值: 25 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 26 ns

单位重量: 750 mg

型号：SI4435FDY-T1-GE3

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产品属性属性值选择属性
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 12.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 13.5 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 4.8 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 16 ns
正向跨导 - 小值: 25 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
单位重量: 750 mg

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普通库存(79316)

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电源IC(16)

二极管(13)

三极管(1)

场效应管MOSFET(8)

单片机(7)

变压器(1)

继电器(1)

放大器(1)

光电子/光纤/激光(2)

其他未分类(6)

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