IRF7301TRPBF SOIC-8 MOS管N沟道_深圳市华芯源电子有限公司

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深圳市华芯源电子有限公司

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营业执照：已审核

经营模式：生产制造商

所在地区：广东深圳

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IRF7301TRPBF SOIC-8 MOS管N沟道

型号/规格：

IRF7301TRPBF

品牌/商标：

INFINEON/英飞凌

封装形式：

SOIC-8

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

圆盘

产品种类：

MOSFET

晶体管极性：

N-Channel

通道数量：

2 Channel

Vds-漏源极击穿电压：

20 V

Id-连续漏极电流：

5.2 A

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询价

产品信息

型号：IRF7301TRPBF

产品属性属性值选择属性

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 5.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 700 mV
Qg-栅极电荷: 13.3 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
4000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 3.9 mm

单位重量: 540 mg

型号：IRF7301TRPBF

产品属性属性值选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 5.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 700 mV
Qg-栅极电荷: 13.3 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
4000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 3.9 mm
单位重量: 540 mg

型号：IRF7301TRPBF

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场效应管MOSFET(8)

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继电器(1)

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其他未分类(6)

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