IRF7331TRPBF SOIC-8 mos管N沟道_深圳市华芯源电子有限公司

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深圳市华芯源电子有限公司

卖家积分： 5001分-6000分

营业执照：已审核

经营模式：生产制造商

所在地区：广东深圳

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IRF7331TRPBF SOIC-8 mos管N沟道

型号/规格：

IRF7331TRPBF

品牌/商标：

INFINEON（英飞凌）

封装形式：

SOIC-8

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

圆盘

晶体管极性：

N-Channel

通道数量：

2 Channel

Vds-漏源极击穿电压：

20 V

Id-连续漏极电流：

7 A

Rds On-漏源导通电阻：

30 mOhms

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询价

产品信息

型号：IRF7331TRPBF

产品属性属性值选择属性

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Qg-栅极电荷: 13 nC
Pd-功率耗散: 2 W
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
4000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 3.9 mm
零件号别名: SP001551258

单位重量: 540 mg

型号：IRF7331TRPBF

产品属性属性值选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Qg-栅极电荷: 13 nC
Pd-功率耗散: 2 W
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
4000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 3.9 mm
零件号别名: SP001551258
单位重量: 540 mg

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普通库存(79316)

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二极管(12)

三极管(1)

场效应管MOSFET(8)

单片机(7)

变压器(1)

继电器(1)

放大器(1)

光电子/光纤/激光(2)

其他未分类(6)

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