TP65H070G4PS TO-220-3 mos管华芯源_深圳市华芯源电子有限公司

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深圳市华芯源电子有限公司

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营业执照：已审核

经营模式：生产制造商

所在地区：广东深圳

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TP65H070G4PS TO-220-3 mos管华芯源

型号/规格：

TP65H070G4PS

品牌/商标：

Transphorm

封装形式：

TO-220-3

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

直插式

包装方式：

管装

产品种类：

MOSFET

晶体管极性：

N-Channel

通道数量：

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：

650 V

Id-连续漏极电流：

29 A

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询价

产品信息

型号：TP65H070G4PS

产品属性属性值选择属性

制造商: Transphorm
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: GaN
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 29 A
Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.7 V
Qg-栅极电荷: 9 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 96 W
通道模式: Enhancement
商标名: SuperGaN
系列: Gen IV SuperGaN
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Transphorm
下降时间: 7.2 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6.2 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N Channel
典型关闭延迟时间: 56 ns

典型接通延迟时间: 43.4 ns

型号：TP65H070G4PS

产品属性属性值选择属性
制造商: Transphorm
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: GaN
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 29 A
Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.7 V
Qg-栅极电荷: 9 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 96 W
通道模式: Enhancement
商标名: SuperGaN
系列: Gen IV SuperGaN
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Transphorm
下降时间: 7.2 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6.2 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N Channel
典型关闭延迟时间: 56 ns
典型接通延迟时间: 43.4 ns

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普通库存(80000)

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三极管(6)

场效应管MOSFET(22)

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电阻器(1)

变压器(1)

继电器(2)

放大器(1)

光电子/光纤/激光(2)

其他未分类(7)

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