FDB33N25 D2PAK-3 (TO-263-3)mos管_深圳市华芯源电子有限公司

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深圳市华芯源电子有限公司

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营业执照：已审核

经营模式：生产制造商

所在地区：广东深圳

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FDB33N25 D2PAK-3 (TO-263-3)mos管

型号/规格：

FDB33N25

品牌/商标：

ON（安森美）

封装形式：

D2PAK-3 (TO-263-3)

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

圆盘

产品种类：

场效应管(MOSFET)

晶体管极性：

N-Channel

通道数量：

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：

250 V

Id-连续漏极电流：

33 A

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询价

产品信息

型号：FDB33N25

产品属性属性值选择属性

制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 33 A
Rds On-漏源导通电阻: 94 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 235 W
通道模式: Enhancement
系列: FDB33N25
封装: Reel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 120 ns
高度: 4.83 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 230 ns
800
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
宽度: 9.65 mm

单位重量: 4 g

型号：FDB33N25

产品属性属性值选择属性

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制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 33 A
Rds On-漏源导通电阻: 94 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 235 W
通道模式: Enhancement
系列: FDB33N25
封装: Reel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 120 ns
高度: 4.83 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 230 ns
800
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
宽度: 9.65 mm
单位重量: 4 g

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场效应管MOSFET(22)

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电阻器(1)

变压器(1)

继电器(2)

放大器(1)

光电子/光纤/激光(2)

其他未分类(7)

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