C2M0160120D TO-247-3 mos管N沟道_深圳市华芯源电子有限公司

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深圳市华芯源电子有限公司

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营业执照：已审核

经营模式：生产制造商

所在地区：广东深圳

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C2M0160120D TO-247-3 mos管N沟道

型号/规格：

C2M0160120D

品牌/商标：

CREE/科锐

封装形式：

TO-247-3

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

直插式

包装方式：

管装

产品种类：

MOSFET

晶体管极性：

N-Channel

通道数量：

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：

1.2 kV

Id-连续漏极电流：

17.7 A

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产品信息

型号：C2M0160120D

产品属性属性值选择属性

制造商: Wolfspeed
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 17.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 196 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 5 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 32.6 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Wolfspeed
配置: Single
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 小值: 4.1 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 13 ns
典型接通延迟时间: 7 ns

单位重量: 6 g

型号：C2M0160120D

产品属性属性值选择属性
制造商: Wolfspeed
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 17.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 196 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 5 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 32.6 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Wolfspeed
配置: Single
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 小值: 4.1 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 13 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
单位重量: 6 g

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三极管(6)

场效应管MOSFET(22)

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电阻器(1)

变压器(1)

继电器(2)

放大器(1)

光电子/光纤/激光(2)

其他未分类(7)

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