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张小姐 
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彭先生
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苏小姐
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型号/规格:FDB33N25 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:D2PAK-3 (TO-263-3) 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特征: 产品种类:场效应管(MOSFET) 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:250 V Id-连续漏极电流:33 A Rds On-漏源导通电阻:94 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V 温度:- 55 C~ 150 C
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型号/规格:TP65H070G4PS 品牌/商标:Transphorm 封装形式:TO-220-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征: 产品种类:MOSFET 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:650 V Id-连续漏极电流:29 A Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:4.7 V
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型号/规格:IXTH30N60L2 品牌/商标:IXYS/艾赛斯 封装形式:TO-247-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征: 产品种类:场效应管(MOSFET) 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:600 V Id-连续漏极电流:30 A Rds On-漏源导通电阻:240 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V
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型号/规格:IRFP260N 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-247-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特征: 产品种类:场效应管(MOSFET) 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:200 V Id-连续漏极电流:50 A Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V 温度:- 55 C~ 175 C
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型号/规格:IPI65R380C6 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-262-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征: 产品种类:MOSFET 场效应管 N沟道 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:700 V Id-连续漏极电流:10.6 A Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V 温度:- 55 C~150 C
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型号/规格:IRF9540S 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:TO-263-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: 产品种类:MOSFET 单位重量:4 g 宽度:9.65 mm 长度:10.67 mm 高度:4.83 mm 封装 / 箱体:D2PAK-3 (TO-263-3)
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型号/规格:CP82C54Z 品牌/商标:RENESAS(瑞萨)/IDT 封装形式:PDIP-24 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征: 产品种类:计时器和支持产品 内部定时器数量:1 Timer 传播延迟—最大值:150 ns 输出类型:CMOS 电源电压-最小:4.5 V 电源电压-最大:5.5 V 温度:0 C~70 C 工作电源电流:10 mA
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型号/规格:C3M0060065D 品牌/商标:CREE/科锐 封装形式:TO-247-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征: 产品种类:碳化硅场效应管(MOSFET） 晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:650 V Id-连续漏极电流:29 A Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 4 V, + 15 V Vgs th-栅源极阈值电压:3.6 V Qg-栅极电荷:46 nC
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型号/规格:C2M1000170D 品牌/商标:CREE/科锐 封装形式:TO-247-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征: 产品种类:碳化硅场效应管(MOSFET） 晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:1.7 kV Id-连续漏极电流:4.9 A Rds On-漏源导通电阻:1.4 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 5 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:4 V Qg-栅极电荷:13 nC
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型号/规格:C2M0280120D 品牌/商标:Wolfspeed/CREE/科锐 封装形式:TO-247-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征: 产品种类:MOSFET 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV Id-连续漏极电流:10 A Rds On-漏源导通电阻:280 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 25 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.8 V Qg-栅极电荷:5.6 nC
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型号/规格:C2M0160120D 品牌/商标:CREE/科锐 封装形式:TO-247-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征: 产品种类:MOSFET 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV Id-连续漏极电流:17.7 A Rds On-漏源导通电阻:196 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 5 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V
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型号/规格:C2M0080120D 品牌/商标:Wolfspeed 封装形式:TO-247-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征: 产品种类:MOSFET 晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV Id-连续漏极电流:31.6 A Rds On-漏源导通电阻:98 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 5 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:4 V Qg-栅极电荷:71 nC
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型号/规格:SPD02N80C3 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-252-2(DPAK) 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特征: 产品种类:MOSFET 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:800 V Id-连续漏极电流:2 A Rds On-漏源导通电阻:2.4 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V
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型号/规格:TK090Z65Z 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征: 产品种类:MOSFET 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:650 V Id-连续漏极电流:30 A Rds On-漏源导通电阻:90 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
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型号/规格:IRF7331TRPBF 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:SOIC-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:圆盘 功率特征: 晶体管极性:N-Channel 通道数量:2 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:7 A Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms Qg-栅极电荷:13 nC Pd-功率耗散:2 W
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